Услуги в области «обратного» проектирования

В связи с динамичным развитие систем проектирования и многообразием применяемых решений при проектировании интегральных схем, все более актуальной становится автоматизация задачи, сформулированной как «обратное» проектирование интегральных микросхем. Для просмотра схемотехнических решений, патентных исследований, модернизации интегральных схем, необходимо знание конструкции и схемотехники готовых интегральных схем. Таким образом, необходима верификация послойных фотографий в топологическое, элементное и схемотехническое представление.

Весь процесс обратного проектирования можно разделить на два основных этапа:

1. Анализ конструкции СБИС.
2. Анализ схемотехники СБИС.

Анализ конструкции СБИС – это физический уровень анализы. Анализ схемотехники СБИС – это функциональный уровень анализа. При полном цикле обратного проектирования СБИС, данные уровни связаны между собой.

«ИДМ-ПЛЮС» обладает необходимым опытом и программными средствами для решения задачи «обратного» проектирования. Специалисты нашей компании готовы выполнить любой тип работ по исследованию интегральной схемы:

• вскрытие корпуса, извлечение кристалла;
• анализ конструкции с применением электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа, Оже-спектроскопии, локального препарирования фокусированными ионными пучками;
• послойное препарирование интегральных схем с использованием плазмохимического травления и планаризации рельефа поверхности;
• послойное фотографирование в ультрафиолетовом диапазоне спектра или сканирующими электронными микроскопами, что позволяет работать с технологиями до 45 нм.;
• восстановление электрической схемы с применением систем автоматизированного «обратного» проектирования;
• анализ схемы электрической с применением систем автоматизированного «обратного» проектирования.

Современное оборудование позволяет также проводит углубленный анализ отказов интегральной микросхемы – перерезать проводники или сделать дополнительное соединение с возможностью контактирования на зондовой установке.