Микросхема трехосевого датчика магнитного поля К5331ЧП01Т

В наличии
Код товара: К5331ЧП01Т
Микросхема трехосевого датчика магнитного поля К5331ЧП01Т
Характеристики
Описание
Область применения
Ключевые особенности
Товар
Оставить заявку

Оставить заявку

ФИО:
Телефон:
Email:
Компания:
Доп.информация:

*желаемое время звонка *информация о продукте

Микросхема 3х-осевого датчика магнитного поля предназначена для измерения величины компонентов вектора магнитной индукции в диапазоне от -250 до +250 мТл.

       интеллектуальные счетчики электроэнергии

       манипуляторы управления

       выключатели

       пороговые датчики
   цифровая нормализация сигнала

   3 интегрированных датчика Холла

   режим пониженного энергопотребления

   малогабаритный 6ти-выводной корпус
Тип
Микросхема
UCC, В
2,7-3,6
Разрешение, бит
14
Корпус
TSOP-6 3,0х3,0х1,3

QFN-8 3,0х3,0х1,3
ТУ
АДКБ.431320.452ТУ
Температурный диапазон, °С
-40...+125
Функциональные аналоги
TLV493D-A1B6 (Infineon, ФРГ)

TMAG5170-Q1 (Texas Instruments, США)

MLX90333 (Melexis, Бельгия)
Ток потребления
рабочий режим, частота выдачи данных 10 Гц: не более 25 мкА, режим пониженного потребления (1 Гц): не более 5 мкА; режим измерения 1 кГц: не более 4,5 мА
Погрешность измерения
не более ±1%
Диапазон индукции магнитного поля, млТ
±250 мТл
Погрешность датчика температуры, не более
±0,5 °С
Максимальная частота выдачи данных, не менее
1000 Гц
Поперечная чувствительность, не более
±1%
Тип выходного интерфейса
I2C
Номинальное смещение нуля при 25°С, не более
±2,5 мТл