H3R (К1949ЧЭ4У) - Микросхема трехосевого датчика магнитного поля c цифровым выходом I2C

Микросхема 3х-осевого датчика магнитного поля предназначена для измерения величины компонентов вектора магнитной индукции в диапазоне от -500 мТл до +500 мТл. Малогабаритный корпус идеально подходит для использования в компактных устройствах.

Характеристики
В наличии
Да
Тип
Микросхема
Напряжение питания, В
2.7...3.6
Корпус
QFN16 (3x3 мм)
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3,0x3,0x0,8
Функциональные аналоги
TLE493D
Технология изготовления
HCMOS_8D (АО Микрон)
Чувствительность к магнитному полю
3.5 лсб/ мТл
Ток потребления в режиме непрерывного преобразования
3.5 мА
Ток потребления в режиме пониженного потребелиня
2.5 мкА
Диапазон индукции магн. поля
±500 мТл
Поддерживаемый интерфейс
I2C
Температурный диапазон
-40...+125 °C
В наличии
Код товара: H3R
H3R (К1949ЧЭ4У) - Микросхема трехосевого датчика магнитного поля c цифровым выходом I2C
Характеристики
Описание
Область применения
Ключевые особенности
Оставить заявку
Область применения
  • Интеллектуальные счетчики электроэнергии
  • Манипуляторы управления
  • Пороговые датчики
  • Бесконтактные выключатели
Ключевые особенности
  • Полностью отечественная микросхема 1 уровня, с будущим внесением в реестр
  • Миниатюрный корпус QFN16(3x3мм)

Оставить заявку

ФИО:
Телефон:
Email:
Компания:
Доп.информация:

*желаемое время звонка *информация о продукте

Микросхема 3х-осевого датчика магнитного поля предназначена для измерения величины компонентов вектора магнитной индукции в диапазоне от -500 мТл до +500 мТл. Малогабаритный корпус идеально подходит для использования в компактных устройствах.

  • Интеллектуальные счетчики электроэнергии
  • Манипуляторы управления
  • Пороговые датчики
  • Бесконтактные выключатели
  • Полностью отечественная микросхема 1 уровня, с будущим внесением в реестр
  • Миниатюрный корпус QFN16(3x3мм)
Тип
Микросхема
Напряжение питания, В
2.7...3.6
Корпус
QFN16 (3x3 мм)
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3,0x3,0x0,8
Функциональные аналоги
TLE493D
Технология изготовления
HCMOS_8D (АО Микрон)
Чувствительность к магнитному полю
3.5 лсб/ мТл
Ток потребления в режиме непрерывного преобразования
3.5 мА
Ток потребления в режиме пониженного потребелиня
2.5 мкА
Диапазон индукции магн. поля
±500 мТл
Поддерживаемый интерфейс
I2C
Температурный диапазон
-40...+125 °C