H1R (К1949ЧЭ3У) - Микросхема 1 осевого датчика магнитного поля с аналоговым выходом
Микросхема является 1 осевым датчиком магнитного поля, на основе эффекта Холла, с аналоговым выходным сигналом и возможностью программирования.
Характеристики
Есть опытные образцы
Да
Тип
Микросхема
Выходной сигнал
аналоговый ратиометрический
Напряжение питания, В
от 4.5 до 5.5
Ток потребления, мА
не более 8
Корпус
SOT-23
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3.0x3.0x1.2 мм
Функциональные аналоги
CHI612xx01300
Чувствительность
от 8мВ/мТл до 26 мВ/мТл (программируется)
Полоса пропускания(-3дб)
11/24/50 КГЦ (программируется)
Технология изготовления
HCMOS_8D ( АО Микрон)
Область применения
- Датчики тока и напряжения
Датчики скорости
Контроль величины магнитного поля
Ключевые особенности
Полностью отечественная микросхма 1 уровня, с будущим внесением в реестрНизкий температурный дреф нуля и чувствительности
Возможность точной подстройки напряжения нуля, чувствительности
Миниатюрный корпус SOT-23
Микросхема является 1 осевым датчиком магнитного поля, на основе эффекта Холла, с аналоговым выходным сигналом и возможностью программирования.
- Датчики тока и напряжения
Датчики скорости
Контроль величины магнитного поля
Полностью отечественная микросхма 1 уровня, с будущим внесением в реестр
Низкий температурный дреф нуля и чувствительности
Возможность точной подстройки напряжения нуля, чувствительности
Миниатюрный корпус SOT-23
Низкий температурный дреф нуля и чувствительности
Возможность точной подстройки напряжения нуля, чувствительности
Миниатюрный корпус SOT-23
Есть опытные образцы
Да
Тип
Микросхема
Выходной сигнал
аналоговый ратиометрический
Напряжение питания, В
от 4.5 до 5.5
Ток потребления, мА
не более 8
Корпус
SOT-23
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3.0x3.0x1.2 мм
Функциональные аналоги
CHI612xx01300
Чувствительность
от 8мВ/мТл до 26 мВ/мТл (программируется)
Полоса пропускания(-3дб)
11/24/50 КГЦ (программируется)
Технология изготовления
HCMOS_8D ( АО Микрон)


