H1R (К1949ЧЭ3У) - Микросхема 1 осевого датчика магнитного поля с аналоговым выходом

Микросхема является 1 осевым датчиком магнитного поля, на основе эффекта Холла, с аналоговым выходным сигналом и возможностью программирования.

Характеристики
Есть опытные образцы
Да
Тип
Микросхема
Выходной сигнал
аналоговый ратиометрический
Напряжение питания, В
от 4.5 до 5.5
Ток потребления, мА
не более 8
Корпус
SOT-23
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3.0x3.0x1.2 мм
Функциональные аналоги
CHI612xx01300
Чувствительность
от 8мВ/мТл до 26 мВ/мТл (программируется)
Полоса пропускания(-3дб)
11/24/50 КГЦ (программируется)
Технология изготовления
HCMOS_8D ( АО Микрон)
Опытные образцы
Код товара: H1R
H1R (К1949ЧЭ3У) - Микросхема 1 осевого датчика магнитного поля с аналоговым выходом
Характеристики
Описание
Область применения
Ключевые особенности
Оставить заявку
Область применения
       Датчики тока и напряжения

       Датчики скорости

       Контроль величины магнитного поля
Ключевые особенности
   Полностью отечественная микросхма 1 уровня, с будущим внесением в реестр

   Низкий температурный дреф нуля и чувствительности

   Возможность точной подстройки напряжения нуля, чувствительности

   Миниатюрный корпус SOT-23

Оставить заявку

ФИО:
Телефон:
Email:
Компания:
Доп.информация:

*желаемое время звонка *информация о продукте

Микросхема является 1 осевым датчиком магнитного поля, на основе эффекта Холла, с аналоговым выходным сигналом и возможностью программирования.

       Датчики тока и напряжения

       Датчики скорости

       Контроль величины магнитного поля
   Полностью отечественная микросхма 1 уровня, с будущим внесением в реестр

   Низкий температурный дреф нуля и чувствительности

   Возможность точной подстройки напряжения нуля, чувствительности

   Миниатюрный корпус SOT-23
Есть опытные образцы
Да
Тип
Микросхема
Выходной сигнал
аналоговый ратиометрический
Напряжение питания, В
от 4.5 до 5.5
Ток потребления, мА
не более 8
Корпус
SOT-23
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3.0x3.0x1.2 мм
Функциональные аналоги
CHI612xx01300
Чувствительность
от 8мВ/мТл до 26 мВ/мТл (программируется)
Полоса пропускания(-3дб)
11/24/50 КГЦ (программируется)
Технология изготовления
HCMOS_8D ( АО Микрон)