H1R - Микросхема 1 осевого датчика магнитного поля с аналоговым выходом
Микросхема является 1 осевым датчиком магнитного поля, на основе эффекта Холла, с аналоговым выходным сигналом и возможностью программирования.
Характеристики
В наличии
Да
Тип
Микросхема
Выходной сигнал
аналоговый ратиометрический
Напряжение питания, В
от 4.5 до 5.5
Ток потребления, мА
не более 8
Корпус
QFN16 (3x3 мм)
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3,0x3,0x0,8
Функциональные аналоги
CHI612xx01300
Чувствительность
13мВ/мТл ( с возможностью подстройки)
Полоса пропускания(-3дб)
11 КГЦ ( с возможностью подстройки)
Технология изготовления
HCMOS_8D ( АО Микрон)
В наличии
Код товара: H1R
Характеристики
Описание
Область применения
Ключевые особенности
Область применения
- Датчики тока и напряжения
Датчики скорости
Контроль величины магнитного поля
Ключевые особенности
Полностью отечественная микросхма 1 уровня, с будущим внесением в реестрНизкий температурный дреф нуля и чувствительности
Возможность точной подстройки напряжения нуля, чувствительности
Миниатюрный корпус QFN16(3x3мм) или безкорпусное исполнение(0.94x0.9 мм)
Микросхема является 1 осевым датчиком магнитного поля, на основе эффекта Холла, с аналоговым выходным сигналом и возможностью программирования.
- Датчики тока и напряжения
Датчики скорости
Контроль величины магнитного поля
Полностью отечественная микросхма 1 уровня, с будущим внесением в реестр
Низкий температурный дреф нуля и чувствительности
Возможность точной подстройки напряжения нуля, чувствительности
Миниатюрный корпус QFN16(3x3мм) или безкорпусное исполнение(0.94x0.9 мм)
Низкий температурный дреф нуля и чувствительности
Возможность точной подстройки напряжения нуля, чувствительности
Миниатюрный корпус QFN16(3x3мм) или безкорпусное исполнение(0.94x0.9 мм)
Тип
Микросхема
Выходной сигнал
аналоговый ратиометрический
Напряжение питания, В
от 4.5 до 5.5
Ток потребления, мА
не более 8
Корпус
QFN16 (3x3 мм)
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3,0x3,0x0,8
Функциональные аналоги
CHI612xx01300
Чувствительность
13мВ/мТл ( с возможностью подстройки)
Полоса пропускания(-3дб)
11 КГЦ ( с возможностью подстройки)
Технология изготовления
HCMOS_8D ( АО Микрон)