Микросхема К5331ЧП01Т 3х-осевого датчика магнитного поля
Микросхема К5331ЧП01Т 3х-осевого датчика магнитного поля предназначена для измерения величины компонентов вектора магнитной индукции в диапазоне от -180 до +180 мТл. Малогабаритный корпус идеально подходит для приложений с ограниченным пространством.
Характеристики
Файл каталог PDF
IDM-PLUS catalog 2024 - issue No.10 - web.pdf
Тип
Микросхема
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3,0x3,0x0,8
UCC, В
2,8-5,5
Корпус
QFN16
Температурный диапазон, °С
–40 ... +125
Поддерживаемые интерфейсы
SPI
I2C
I2C
Функциональные аналоги
TMAG5170-Q1 (Texas Instruments, США)
MLX90333 (Melexis, Бельгия)
LV493D-A1B6 (Infineon, ФРГ)
MLX90333 (Melexis, Бельгия)
LV493D-A1B6 (Infineon, ФРГ)
Диапазон индукции магнитного поля, млТ
±180
Ток потребления в режиме непрерывного измерения, мА, не более
16,23
Рабочий режим, част. выд. данных 10 Гц, мкА, не более
61,7
Режим пониженного потребления, мкА, не более
2,4
Чувствительность к магнитному полю, ед./мТл, не менее
X,Y - 60 / Z - 90
Выходной шум, мТл (p-p), не более
X,Y - 0,2 / Z - 0,1
В наличии
Код товара: К5331ЧП01Т
Характеристики
Описание
Область применения
Ключевые особенности
Область применения
- Интеллектуальные счетчики электроэнергии
Манипуляторы управления
Выключатели
Пороговые датчики
Ключевые особенности
Микросхема К5331ЧП01Т 3х-осевого датчика магнитного поля предназначена для измерения величины компонентов вектора магнитной индукции в диапазоне от -180 до +180 мТл. Малогабаритный корпус идеально подходит для приложений с ограниченным пространством.
- Интеллектуальные счетчики электроэнергии
Манипуляторы управления
Выключатели
Пороговые датчики
Файл каталог PDF
IDM-PLUS catalog 2024 - issue No.10 - web.pdf
Тип
Микросхема
Размер корпуса (ДхШхВ), мм
3,0x3,0x0,8
UCC, В
2,8-5,5
Корпус
QFN16
Температурный диапазон, °С
–40 ... +125
Поддерживаемые интерфейсы
SPI
I2C
I2C
Функциональные аналоги
TMAG5170-Q1 (Texas Instruments, США)
MLX90333 (Melexis, Бельгия)
LV493D-A1B6 (Infineon, ФРГ)
MLX90333 (Melexis, Бельгия)
LV493D-A1B6 (Infineon, ФРГ)
Диапазон индукции магнитного поля, млТ
±180
Ток потребления в режиме непрерывного измерения, мА, не более
16,23
Рабочий режим, част. выд. данных 10 Гц, мкА, не более
61,7
Режим пониженного потребления, мкА, не более
2,4
Чувствительность к магнитному полю, ед./мТл, не менее
X,Y - 60 / Z - 90
Выходной шум, мТл (p-p), не более
X,Y - 0,2 / Z - 0,1